Wpływ struktury krystalicznej i rodzaju terminowania warstw diamentowych otrzymywanych metodą CVD na ich własności elektrochemiczne
Nazwa instytucji finansującej: Narodowe Centrum Nauki
Informacja o finansowaniu lub dofinansowaniu zadania z budżetu państwa lub z państwowych funduszy celowych: Finansowanie ze środków budżetu państwa
Rodzaj dotacji budżetowej lub nazwa programu lub funduszu: MINIATURA 3
Nazwa zadania/projektu: Wpływ struktury krystalicznej i rodzaju terminowania warstw diamentowych otrzymywanych metodą CVD na ich własności elektrochemiczne
Wartość finansowania lub dofinansowania i całkowita wartość zadania/projektu: 28 305 PLN
Kierownik zadania/projektu: dr Lidia Mosińka, lidiamosinska@ukw.edu.pl
Nazwa jednostki realizującej zadanie/projekt: Katedra Fizykochemii Materiałów Funkcjonalnych Instytutu Fizyki UKW
Okres realizacji: 19.12.2019-18.09.2022
Nr umowy/decyzji: DEC- 2019/03/X/ST8/01822
Status zadania/projektu: w trakcie realizacji
Obsługa administracyjno-finansowa zadania/projektu: Dział Nauki
Krótki opis zadania/projektu:
Celem planowanych badań podstawowych jest ustalenie optymalnych warunków syntezy warstw diamentowych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) dla zastosowań elektrochemicznych. Badania wytwarzanych warstw dotyczą mechanizmu transportu elektrycznego oraz wpływu terminowania (uwodornienia, utlenienia) powierzchni warstw diamentowych na właściwości detekcyjne. Badania mają na celu wykazanie, że domieszkowanie diamentu (np. borem) nie jest jedynym sposobem uzyskania odpowiedniego przewodnictwa elektrycznego.
Ponadto przedmiotem badań będzie określenie przestrzennego rozkładu, struktury oraz zawartości fazy węgla amorficznego w warstwie diamentowej, jak również wpływu fazy sp2 na właściwości elektrochemiczne warstwy diamentowej. Klasyczne materiały półprzewodnikowe cały czas spełniają swoje zadanie np. Si (krzem) w elektronice cyfrowej, ale w innych zastosowaniach ich granice zostały już osiągnięte i należy poszukiwać nowych materiałów. Określenie odpowiednich parametrów wymaga szeregu doświadczeń opartych na wytworzeniu a potem zbadaniu warstw diamentowych w oparciu o posiadane zaplecze naukowe. Posłuży to do stworzenia oraz optymalizacji właściwości tranzystora SG FET.
